TESI PER IL CONSEGUIMENTO DEL TITOLO DI DOTTORE IN RICERCA Structural and transport studies of InAlAs/InGaAs quantum wells
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The relationship between structural and low-temperature transport properties is explored for InxAl1-xAs/InxGa1-xAs metamorphic quantum wells with x > 0.7 grown on GaAs by molecular beamepitaxy. Different step-graded buffer layers are used to gradually adapt the in-plane latticeparameter from the GaAs towards the InGaAs value. We show that using buffer layers with asuitable maximum In content the residual compressive strain in the quantum well region can bestrongly reduced. Samples with virtually no residual strain in the quantum well region show a low-temperature electron mobility up to 290000 cm/Vs while for samples with higher residualcompressive strain the low-temperature mobility is reduced. Furthermore, for samples with buffersinducing a tensile strain in the quantum well region, deep grooves are observed on the surface, andin correspondence we notice a strong deterioration of the low-temperature transport properties.
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تاریخ انتشار 2005